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Si4972DY
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
100
10
T J = 150 °C
0.20
0.16
I D = 4.5 A
1
T J = 25 °C
0.12
0.1
0.01
0.001
0.0 8
0.04
0.00
T A = 25 °C
T A = 125 °C
0.00
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
0.6
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage (Ch 2)
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Temperature (Ch 2)
30
0.3
0.0
- 0.3
- 0.6
- 0.9
I D = 250 μ A
I D = 5 mA
24
1 8
12
6
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.001
0.01
0.1
1
10
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage (Ch 2)
100
10
1
Limited b y R DS(on) *
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient (Ch 2)
1 ms
10 ms
100 ms
0.1
T A = 25 °C
Single P u lse
1s
10 s
DC
0.01
0.1
1
10
100
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS
minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient (Ch 2)
Document Number: 73849
S09-0138-Rev. D, 02-Feb-09
www.vishay.com
9
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